10月18日消息:三星电子披露了其推动存储芯片密度极限和开发突破性材料以提升芯片性能的雄心。

三星电子的存储芯片业务总裁 Lee Jung-bae 在周二发布在公司网站上的一封信中表示：「我们将把 DRAM 和 NAND 闪存存储芯片的密度提升到极限。」

他强调了新材料在实现先进存储芯片方面的重要性。他说：「在即将到来的 DRAM 芯片颗粒小于 10 纳米技术和具有超过 1000 层的垂直 NAND（V-NAND）芯片的时代，新的结构和材料至关重要。」

Lee Jung-bae 表示：「（在三星）我们正在研发 DRAM 的 3D 结构和新材料。对于 V-NAND 芯片，我们还将通过增加层数、降低高度和最小化芯片间距来加强最小的单元尺寸。」

对于三星电子来说，响应对人工智能芯片的激增需求也至关重要。该公司目前生产高性能 DRAM 芯片中的一种，被认为是处理 AI 芯片所必需的 HBM3。它还正在研发下一代 HBM3E。

Lee Jung-bae 表示，三星正在为客户生产「定制」的 HBM 芯片。他说：「我们专注于妥善应对与新应用有关的需求，比如超大规模人工智能。」

Lee Jung-bae 表示：「我们将不断发展存储芯片产品线，以应对多样化的需求和长时间的存储芯片交付周期。」

三星电子将于 10 月 20 日在硅谷举行「三星存储技术日 2023」，届时这家韩国芯片制造商将揭示一些最新的存储芯片技术和产品。